负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。
a、粘性增强负性光刻胶
粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双---的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长---。
粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到---的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的---度进而增强---通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶---时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。
i线---用粘度增强负胶系列:np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。
g和h线---用粘度增强负胶系列:np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。
b、加工负胶
加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长---。
加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到---的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的---度进而增强---通量、更快的显影,负性光刻胶,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶---时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,负性光刻胶报价,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。
用于i线---的加工负胶系列:nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。
下游发展趋势
光刻胶的和性能是影响集成电路性能、成品率及---性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占ic制造材料总成本的4%,市场---。因此光刻胶是半导体集成电路制造的---材料。
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