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1959 年被发明以来就成为半导体工业的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为 pcb 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代，光刻胶又被运用到平板显示的加工制作，对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中，光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说，光刻胶产品种类多、性强，需要长期技术积累，对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有---要求，企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术，具有---的技术壁垒。
以半导体行业为例，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。
一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，pr1 2000a1光刻胶报价，流程一般分为十步:1.表面准备，2.涂胶，3.软烘焙，4.对准和---，pr1 2000a1光刻胶公司，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，9.去除光刻胶，10.终检查。
具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿化学品，包括---等。
晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行对准以后，光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现---，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。
对---以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。
目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含体。
光学光刻胶通常包含以下三种成分：(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是---光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称pac或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未---区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例，pr1 2000a1光刻胶，使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由---醌(简称为dq)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如----，pgme)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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