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光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的关键化学品，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中，树脂约占 50%，单体约占35%，光引发剂及添加助剂约占15%。
为了避免光刻胶线条的倒塌，nr7 6000py光刻胶多少钱，线宽越小的光刻工艺，nr7 6000py光刻胶厂家，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，nr7 6000py光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作underlayer），nr7 6000py光刻胶，其对光是不敏感的。---显---，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含si的树脂等
光学光刻胶通常包含以下三种成分：(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是---光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称pac或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未---区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例，使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由---醌(简称为dq)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如----，pgme)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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