四、对准(alignment)
光刻对准技术是------个重要步骤作为光刻的三大---之一,光刻胶 futurrex厂家,一般要求对准精度为
受光刻分辨力提高的推动 ,对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ,对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ,包括视频图像对准、双目显微镜对准等,一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号--- ,主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。
下面我们来详细介绍一下光刻的工序:
一、清洗硅片(wafer clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用,光刻胶 futurrex,1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例goldfinger mach2清洗系统)、美国ssec公司的双面檫洗技术(例m3304 dss清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。
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