光刻胶-赛米莱德-透明光刻胶

光刻胶

在---过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以---后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。---后的光刻胶溶解速度几乎是未---的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，透明光刻胶，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在---区间显影，负性胶则相反。负性胶由于---区间得到保留，漫射形成的轮廓使显---的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

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光刻胶按用途分类

光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，无机光刻胶，衍生出非常多的种类，按照应用领域，光刻胶，光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。

(1)半导体用光刻胶

在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各---波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能---地满足工艺要求。